Add to Quick Collection
All 6 Results
Showing items 1 - 6 of 6.
Add All Items to Quick Collection
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 91-92
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Authors:
Yakovlev, Nikita N. |
Almaev, Aleksei V. |
Butenko, Pavel N. |
Tetelbaum, David |
Mikhaylov, Alexey |
Nikolskaya, Alena |
Pechnikov, Aleksei I. |
Stepanov, Sergey I. |
Boiko, Mikhail |
Chikiryaka, Andrei V. |
Nikolaev, Vladimir I.
Source: IEEE sensors journal. 2023. Vol. 23, № 3. P. 1885-1895
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
The effect of the Si+ ion implantation on the gas-sensing properties of single-crystal (0001) α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) has been studied. It is established that irradiat
... More
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-28 апреля 2023 г.. Томск, 2023. Т. 1 : Физика. С. 30-32
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description:
The structural and gas-sensitive properties of ε(κ)-Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy (HVPE) under the exposure to CO, H2 and NH3 were studied. The temperature and concentration depen
... More
Source: Materials physics and mechanics. 2022. Vol. 48, № 3. P. 301-307
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
He effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 at doses of 8·1012 cm-2, 8·1014 cm-2, and energy of 100 keV on the gas-sensitive properties has been studied. It is shown that irradiation of α-Ga2O3 layer
... More
Authors:
Nikolaev, Vladimir I. |
Almaev, Aleksei V. |
Kushnarev, Bogdan O. |
Pechnikov, Aleksei I. |
Stepanov, Sergey I. |
Chikiryaka, Andrei V. |
Timashov, R. B. |
Scheglov, Mikhail P. |
Butenko, Pavel N. |
Chernikov, Evgeniy V.
Source: Technical physics letters. 2022. Vol. 48, № 7. P. 76-79
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
The effect of the gaseous medium composition on the electrically conductive properties of In2O3−Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 100−550
... More
Authors:
Николаев, Владимир Иванович |
Алмаев, Алексей Викторович |
Кушнарев, Богдан Олегович |
Печников, Алексей Игоревич |
Степанов, Сергей Игоревич |
Чикиряка, Андрей Владимирович |
Тимашов, Роман Борисович |
Щеглов, Михаил Петрович |
Бутенко, Павел Николаевич |
Черников, Евгений Викторович
Source: Письма в журнал технической физики. 2022. Т. 48, № 14. С. 37-41
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Исследовано влияние состава газовой среды на электропроводящие свойства пленок In2O3-Ga2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 100-550oC пленки In2O3-Ga2O3 прояв
... More