Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.). Томск, 2024. С. 91-92
Type: статьи в сборниках
Date: 2024
Source: IEEE sensors journal. 2023. Vol. 23, № 3. P. 1885-1895
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The effect of the Si+ ion implantation on the gas-sensing properties of single-crystal (0001) α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) has been studied. It is established that irradiat ... More
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XX Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-28 апреля 2023 г.. Томск, 2023. Т. 1 : Физика. С. 30-32
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description: The structural and gas-sensitive properties of ε(κ)-Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy (HVPE) under the exposure to CO, H2 and NH3 were studied. The temperature and concentration depen ... More
Source: Materials physics and mechanics. 2022. Vol. 48, № 3. P. 301-307
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: He effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 at doses of 8·1012 cm-2, 8·1014 cm-2, and energy of 100 keV on the gas-sensitive properties has been studied. It is shown that irradiation of α-Ga2O3 layer ... More
Source: Technical physics letters. 2022. Vol. 48, № 7. P. 76-79
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: The effect of the gaseous medium composition on the electrically conductive properties of In2O3−Ga2O3 films obtained by halide vapor phase epitaxy has been studied. In the temperature range of 100−550 ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2022. Т. 48, № 14. С. 37-41
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследовано влияние состава газовой среды на электропроводящие свойства пленок In2O3-Ga2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 100-550oC пленки In2O3-Ga2O3 прояв ... More
  • «
  • 1
  • »
^